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플레쉬 메모리에 쓰기 / 플래쉬 메모리



flash memory 의 block

flash memory 는 구조상 block 단위(보통 한 block 은 128KB로 되어 있다.)로 지워지게 되어 있다. block 은 page(보통 2KB) 가 모여서 된 단위이다. 

 

왜 flash memory 는 erase 를 하고 write 를 해야 하는가.

우리의 상식과는 조금 다르게, flash memory 는 '1'로 되어 있는 곳에, '0'을 써넣는 구조이다.

흔히 우리는 erase 를 하면 '0'이 될 것이라고 생각하나, flash memory 에서는 erase 를 하면 '1'이 된다. 그러기 때문에 '0' 을 write 하는 구조가 된 것이다.

 

근데 flash memory 는 구조상 write 는 1 bit 씩 가능하다. 하지만, erase 는 block 단위로 밖에 되지 않는다. 다시 얘기하면 '0'으로 바꾸는 것은 1 bit 씩 가능하다. 하지만 '1' 로 바꾸는 것은 block 단위로 해야 한다. 그래서 만약 erase 가 필요한 상황이 오면, block 을 erase 하고 다시 다 적어야 하는것이다. 

예를 들면,

0101 이 있는데, 이넘을 1101 로 바꾸고 싶은 경우에, flash memory 는 '1'을 쓰기 위해서는 erase 를 해야 하기 때문에, block 전체를 erase 해서 '1111' 로 바꾸고, 그 다음에 세번째 bit 을 '0'으로 바꿔야 하는 것이다.

그렇기 때문에 write 하기 전에 erase 를 해야 한다고 얘기 하는 것이다.


See also

  1. http://kldp.org/node/106123
  2. SSD 의 이해 - 낸드 플래시 메모리의 구조와 SLC, MLC, TLC 방식의 차이
  3. 플래시 메모리 SLC, MLC, TLC

References

  1. http://www.zdnet.com/blog/storage/five-things-you-never-knew-about-flash-drives/147
  2. http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory

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